Лаборатория квантовой электроники
 
     Лаборатория Квантовой Электроники была создана в Физико-техническом институте им. С.У. Умарова 25 июня 1971г. Решением Президиума АН Таджикской ССР (протокол №11). При этом Президиум АН Тадж. ССР отмечает продуктивную работу группы руководимую к.ф.м.н. И. Исмоиловым по созданию и исследованию полупроводниковых лазеров в видимой к ближней инфракрасной области спектра. Группа выполнила хоз. договорную работу для Ленинградского НИИ «Электроаппаратуры по созданию полупроводниковых лазеров для оптической связи». Результаты этой совместной работы было впервые опубликовано в статье P . G . Eliseev, I. Ismailov, Yu. F. Fedorov «Injection lasers for Multichannel Optical Communication» IEEE Quantum Electronics , QE -6, №1, p .38, 1970 ( USA ). 

         Исполняющим обязанностью зав. лаб. Квантовой электроники был назначен к.ф.м.н. И. Исмоилов, который заведует этой лабораторией и поныне.

Басов Николай Генадиевич

       Басов Николай Генадиевич-академик, дважды герой социалистического труда, лауреат Нобелевской премии по физике за 1964 год. В становлении лаборатории Квантовой электроники оказывали постоянную помощь и поддержку академик Басов Н. Г., академик Крохин О.Н. и профессор Елисеев П.Г.    

         Со дня организации в лаборатории выполнялись НИР по постановлению Правительства, крупные хоздоговорные работы с НПО "Полюс", НПО "Астрофизика", НПО "Электроаппаратуры".

Поздравление Басова Николай Генадиевича с шестидесятилетием. С 1972 г.

         В лаборатории Квантовой электроники широким фронтом ведутся исследова¬ния по созданию полупроводниковых лазеров с различными способами накачки, расширения спектрального диапазона полупроводниковых лазеров, применения инжекционных лазеров для оптической накачки полупроводниковых и диэлектрических материалов. С 1976г. В лаборатории проведён всесторонний цикл исследований новых полупроводниковых материалов группы фосфида индия - многокомпонентных твердых растворов, тесно увязанных с технологией получения лазерных гетероструктур на их основе. Эти исследования представляют собой новое научное направление в полупроводниковой квантовой электронике, имеющее большое практическое значение. Освоена новая группа материалов, позволившая создать источники спонтанного и лазерного излучения в широком спектральном диапазоне видимого и ИК-излучения. Применение этих источников позволяют существенно улучшить технические параметры оптоэлектронных уст¬ройств, расширить область их применения. С 1978 г. до распада СССР лаборатория участвовала в успешном выполнении Всесоюзной комплексной программы "Гетеро¬переход" совместно с ФИАН, ФТИ, ИРЭ АН СССР и предприятиями "Минэлектронпрома".

         В последующие годы были созданы и исследованы лазеры для имитации излучения мощных твердотельных рубиновых и неодимовых лазеров - Р. Алтынбаев, П.Г. Елисеев, И. Исмаилов и др. Диодные имитаторы излучения твердотельных лазеров, Квантовой Электроника, в.5, №2, с.2617, 1979 г.

           Созданы и исследованы мощные батареи светоизлучающих диодов на длину волны 0.81мкм для накачки твердотельных лазеров на алюмо-итриевом гранате. Созданы и исследованы гетеролазеры на основе гетероструктур GaInPAs/InP методом жидкостной эпитаксии. Лазеры работают при комнатной температуре в интервале длин волн 1.0-1.7 мкм.
Проведены исследования солнечных элементов на основе гомопереходов на InP и гетеропереходов на GaInPAs/InP.


Президент Академии Наук СССР Александров А.П., Президент АН Таджикской ССР Асимов М.С., Президент АН Беларусской ССР Борисевич Н.А. на переднем плане и другие в лаборатории Квантовой электроники.

Академик Быковсий С.А. в лаборатории Квантовой электроники.